AOB11N60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB11N60L
| Artikelnummer: | AOB11N60L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 11A TO263 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB11N60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments AOB11N60L.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-263 (D2Pak) Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 5.5A, 10V Verlustleistung (max) 272W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1990 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) Grundproduktnummer AOB11 AOB11N60L Einzelheiten PDF [English] AOB11N60L PDF - EN.pdf -
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